SisällysluetteloTekniset tiedot sivulla 158 Peruskäyttö sivulla 166Yleistietoa sivulla 159 Huolto sivulla 169Asentaminen sivulla 161 Vianmääritys sivulla 170Käynnistys sivulla 165Käyttöohjeen laajennettu versioLisätietoja on tämän oppaan laajennetussa versiossa valmistajan verkkosivuilla.Tekniset tiedotTekniset tiedot voivat muuttua ilman ennakkoilmoitusta.Ominaisuus LisätietojaMittaustila Transmittanssi (%), Absorbanssi (Abs) ja Pitoisuus (Pit)Mitat (L x S x K) 178 x 261 x 98 mm (7,0 x 10,3 x 3,8 tuumaa)Kotelointiluokitus IP67 (näytekyvetin kansi suljettuna)Paino 1,5 kg (3,3 Ib)Virtalähde (sisäinen) AA-alkaliparistot (4 kpl) tailadattavat NiMH-paristot (4 kpl,lisävarusteena hankittava moduuli vaaditaan1Virtalähde (ulkoinen) Virtalähde: 110–240 VAC; 50/60 Hz (lisävarusteena hankittava moduulivaaditaan1)Käyttöliittymä USB mini (lisävarusteena hankittava moduuli vaaditaan1)Käyttölämpötila 10–40 °C (50–104 °F), enintään 80 % tiivistymätön suhteellinen kosteus)Säilytyslämpötila –30...60 °C (–30...140 °F), enintään 80 % tiivistymätön suhteellinen kosteusValonlähde KsenonvaloAallonpituusalue 340–800 nmFotometrinen mittausalue ±3,0 Abs (aallonpituusalue 340–800 nm)Aallonpituuden tarkkuus ±2 nm (aallonpituusalue 340–800 nm)Spektrin kaistanleveys 5 nmFotometrinen tarkkuus 3 mAbs, kun absorbanssi on 0,0–0,5; 1 %, kun absorbanssi on 0,50–2,0Fotometrinen lineaarisuus < 0,5 %, kun absorbanssi on korkeintaan 2≤ 1 %, kun absorbanssi on yli 2 ja käytössä on nollalasi 546 nm:naallonpituudellaAallonpituuden valinta Automaattinen, perustuu menetelmän valintaanHajavalo < 0,5 % T 340 nm:n aallonpituudella, kun käytössä on NaNO2Toistettavuus ± 0,1 nmAallonpituuden erottelukyky 1 nmOmat ohjelmat (vapaa ohjelmointi) 501 Lisätietoja on valmistajan verkkosivuilla.158 Suomi