Hameg HM6042 Manual
Also see for HM 604-2: ManualOperating manual
                                                    | |
12 Änderungen vorbehaltenEinsatz der Speicherfunktion MEMFür die Selektion von Transistoren bietet der HM6042 eine sehrhilfreiche Speicherfunktion. Durch die Taste MEM lassensich die Parameter eines Transistors speichern und mit ei-nem weiteren Bauteil des gleichen Typs vergleichen. Dadurchlassen sich sehr einfach Selektionen hinsichtlich der Para-meter I C / I D , β, h11, h21, h22, y21 und y22 durchführen.Zuerst wird der gewünschte Parameter für den Referenz-transistor gemessen. Der Referenztransistor befindet sich aufder linken Seite des Adapters, der Schiebeschalter des Adaptersist in der linken Position. Wird dann die Taste MEM gedrückt,werden die gemessenen Werte der statischen Parameter interngespeichert und können so mit den Parametern eines zweitenTransistors verglichen werden. Im Display erscheint ein∆-Zeichen zur Unterscheidung der Relativwerte von denReferenzwerten. Außerdem wird die Anzeige auf „0“ gesetzt. Derzweite DUT sollte auf der rechten Seite des Adapters angeschlos-sen und der Schiebeschalter des Adapters nach rechts gescho-ben werden. Anschließend erscheinen im Display bei Auswahleines Vergleichstransistors die Differenzwerte bezogen auf denReferenztyp. Es werden keine %-Angaben angezeigt, sonderndirekt die Differenzwerte. Ein weiterer Druck auf die TasteMEM deaktiviert diese Funktion.FehlermeldungenWird eine der folgenden Fehlermeldungen angezeigt, mussdas Gerät zur Neu-Kalibrierung eingeschickt werden. Bittebeachten Sie dazu unsere Garantie- und Reparatur-bedingungen auf Seite 7 dieser Bedienungsanleitung.– „CALIBRATION FAULT“– „VERIFICATION ERROR“– „TIMING ERROR“AnwendungsbeispieleBipolar-Transistoren1. Schließen Sie das zu testende Bauteil an die entsprechen-den Eingänge 17 an.2. Vergewissern Sie sich, dass die Taste BIP/FET 15ungedrückt ist.3. Wählen Sie den Transistortyp (NPN bzw. PNP) mit der Tas-te NPN/PNP 16 aus.4. Stellen Sie die Grenzen für Strom I max. 19 , Spannung U max.21 und Leistung Pmax. 23 ein.5. Drücken Sie die Taste DUT 14 um die Messung zu starten.5 Kennlinien werden auf dem Bildschirm abgebildet.Achtung: Durch die Messung kann sich dasBauteil erheblich erhitzen.6. Die vertikale Position der Kennlinien IC = f(U CE) ist abhän-gig vom Basisstrom I B . Der Basisstrom, und damit auchdie Abstände der Kennlinien, können mittels des Drehknopfverändert werden, wenn die Funktion MAX bzw. MINaktiviert ist. Mit dem Drehknopf lässt sich die Lage derobersten bzw. untersten Kennlinie durch Ändern desBasisstromes verändern. Bei der Inbetriebnahme ist derBasisstrom auf ein Minimum eingestellt.7. Mit den Cursor-Funktionen werden die berechneten Pa-rameter mit den Tasten ausgewählt und auf demDisplay dargestellt.Darstellungen der Kennlinien fürFeldeffekttransistorenSollen Feldeffekttransistoren untersucht werden, muss dieTaste BIP/FET 15 gedrückt sein. Der Parameter für die Ver-schiebung der Kennlinien ist die Gate-Spannung U G. Entspre-chend der Bedienung und Darstellung bei den Bipolar-Tran-sistoren lässt sich, nach Auswahl der Funktionen MAX oderMIN , mittels Drehknopf die Gate-Spannung U G schritt-weise ändern. Die Anzahl der Schritte beträgt 256 bei einereinstellbaren Spannung von –10 V bis +10 V. Dementsprechendbeträgt die Schrittweite ca. 80 mV. Dabei wird die Schrittzahlmittels des Drehgebers so weit erhöht, dass eine Kurven-schar erkennbar wird.STOPAchtung!Bei der Messung von Feldeffekttransistoren kön-nen Spannungen bis zu 50 VDC am Bauteil auftre-ten. Dies ist dann der Fall wenn z.B. UD = 40 Vgewählt wurde und die Gate-Spannung mit –10 Veingestellt wird. Es wird vorausgesetzt, dass derHM6042 nur von Personen bedient wird, die mitden damit verbundenen Gefahren vertraut sind.A n w e n d u n g s b e i s p i e l e |
Related manuals for Hameg HM 604-2
This manual is suitable for:
manualsdatabase
Your AI-powered manual search engine